GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | ディスクリート半導体製品

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Nexperia USA Inc.

在庫あり: 284

単価 : ¥2,793.00000

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タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Nexperia USA Inc.
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	34.5A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	60ミリオーム @ 25A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	15 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1000 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	143W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247-3
パッケージ/ケース	TO-247-3
ベース品番	GAN063