GAN063-650WSAQ Nexperia USA Inc. | シングルFET、MOSFET

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Nexperia USA Inc.

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単価 : ¥2,475.00000

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 1mA
メーカー Nexperia USA Inc.	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 15 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況生産中止品	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1000 pF @ 400 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 143W（Tc）
技術 GaNFET（カスコード窒化ガリウムFET）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 650 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 34.5A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-247-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 60ミリオーム @ 25A、10V	ベース品番 GAN063

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GAN063-650WSAQ