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カスコード型GaN FET
電力システムの性能、効率、信頼性を向上させるNexperiaのGaN FET
Nexperiaのカスコード型GaN FETは、高い電力密度、パフォーマンス、スイッチング周波数を提供します。GaNの非常に高い電子移動度は、インダストリ4.0や再生可能エネルギーアプリケーションなどの次世代電力システムに不可欠な、低いオン抵抗と非常に高いスイッチング周波数能力を備えたデバイスの作成を可能にします。このユニークなカスコード型GaN FETソリューションは、よく知られたSi MOSFETゲートドライバを使用したデバイスの駆動を容易にします。これによって、比類のない高い接合部温度（Tj（最大） = +175°C）、設計の自由度、電源システムの信頼性向上を実現します。
Cascode GaN FETs
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 料金 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | GAN041-650WSBQ | GAN041-650WSB/SOT429/TO-247 | 199 - 即時 | $2,307.00 | 詳細を表示 |
| | GAN063-650WSAQ | GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3 | 0 - 即時 | $1,899.19 | 詳細を表示 |
|  | GAN039-650NBBHP | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 817 - 即時 | $2,344.00 | 詳細を表示 |
|  | GAN111-650WSBQ | GAN111-650WSB/SOT429/TO-247 | 314 - 即時 | $1,839.00 | 詳細を表示 |
|  | GAN039-650NTBZ | 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE ( | 0 - 即時 | $1,974.00 | 詳細を表示 |
| | GAN039-650NTBJ | GAN CASCODE FETS | 601 - 即時 | $2,344.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2024-09-04
日本