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次世代SiCショットキーバリアダイオード
Microsemiのショットキーバリアダイオード製品は、帯電アプリケーションに最適
Microsemiは、1200V、10A、および20A SiCショットキーバリアダイオード製品のリリースを発表します。30Aおよび50A SiCダイオードは近日発売予定です。MicrosemiのSiCダイオードは、SiC競合製品よりも20%高いアバランシェエネルギー/UIS定格、繰り返しサージ電流に対する高い耐性、Siダイオードを凌ぐ固有のSiC効率とシステムコストの利点を備えています。これらの製品は、PFCなどの帯電アプリケーション、高電圧HEV/EV充電ステーションモジュール、オンボード充電器、DC/DCコンバータ、エネルギー回収システム、スイッチモード電源における出力整流に最適です。
Siダイオードを凌ぐSiC SBDの利点
- より高い電圧（> 650V）で高いスイッチング周波数での効率
- 順方向電圧（VF）の低減により、静電気損失の低減とエネルギー効率の向上を実現
- ハードスイッチング中にほぼゼロの逆回復電荷（Qrr）から低EMIを実現
- より高温（+175°C）で安定した動作
- 25%を超える電力出力で、同じ物理的寸法でシステム効率を向上し、（磁気部品やフィルタの小型化、冷却/ヒートシンクのコスト削減などによリ）コストを低減
Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 電流 - 平均整流（Io） | 電圧 - If印加時の順方向（Vf）（最大） | 速度 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | MSC010SDA070K | DIODE SIL CARB 700V 10A TO220-2 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 0 - 即時 | $347.00 | 詳細を表示 |
| | MSC030SDA070K | DIODE SIL CARB 700V 30A TO220-2 | 30A | 1.5 V @ 30 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 84 - 即時 | $706.00 | 詳細を表示 |
|  | MSC050SDA070B | DIODE SIL CARBIDE 700V 50A TO247 | 50A | 1.5 V @ 50 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 23 - 即時 | $1,266.00 | 詳細を表示 |
| | MSC010SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 900 - 即時 | $768.00 | 詳細を表示 |
| | MSC010SDA120K | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 | 10A | 1.5 V @ 10 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 123 - 即時 | $709.00 | 詳細を表示 |
| | MSC015SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 15A TO247 | 15A | 1.5 V @ 15 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 26 - 即時 | $1,074.00 | 詳細を表示 |
| | MSC020SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 49A TO247 | 49A | 1.8 V @ 20 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 25 - 即時 | $1,758.00 | 詳細を表示 |
| | MSC030SDA120B | DIODE SIL CARB 1200V 30A TO247 | 30A | 1.5 V @ 30 A | 回復時間なし > 500mA（Io） | 732 - 即時 | $1,702.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2017-12-07
日本