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高性能シリコンカーバイド（SiC）ショットキーダイオード
MCCのSiCダイオードは、ソーラーおよびモーションコントロール、UPS、テレコム基地局、PFC、および照明用のインバータに最適
Micro Commercial Componentsの高性能SiCショットキーダイオードは、高効率、最大+175°Cの高温性能を提供します。これらのダイオードは、650VスーパージャンクションMOSFETとともに、完全なコスト効率の高いディスクリートソリューションを作成します。これらのSiCダイオードには、650V（2A/4A）および1200V（2A/5A/10A/20A）バージョンがあります。利用可能なパッケージ（TO-220、TO-247、およびDPAK）、その他の現在のレベル、およびハウジングは認定準備中です。これらのSiCダイオードの一般的なアプリケーションは、ソーラーおよびモーションコントロール用のインバータ、UPS、テレコム基地局、力率補正（PFC）、および照明アプリケーションです。
特長
- 極めて低いスイッチング損失
- より高いスイッチング周波数
- 並列アプリケーションの正の温度係数
- 標準ショットキーダイオードよりも高い効率
- 最大+175°Cのより高い動作温度
- 最大1200Vの高電圧
用途・応用
- ソーラーおよびモーションコントロール用のインバータ
- UPS
- テレコム基地局
- PFCおよび照明アプリケーション
High-Performance Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIC05120B-BP | DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC | 4895 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 |
|  | SIC10120PTA-BP | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO247AD | 0 - 即時 | $1,411.60 | 詳細を表示 |
|  | SIC20120PTA-BP | DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2473 | 0 - 即時 | $2,789.41 | 詳細を表示 |
|  | SICU02120B-TP | DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A DPAK | 0 - 即時 | $657.00 | 詳細を表示 |
| | SICU0260B-TP | DIODE SIL CARBIDE 650V 2A DPAK | 2257 - 即時 | $372.00 | 詳細を表示 |
| | SICU0460B-TP | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK | 2403 - 即時 | $612.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2020-08-27
日本