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SiC（シリコンカーバイド）超高速スイッチングMOSFET - LSIC1MO120Eシリーズ
Littelfuseは、1200V、Nチャンネル、エンハンスメントモードSiC MOSFETのLSIC1MO120Eを提供
LittelfuseのSiC MOSFET LSIC1MO120Eは、従来の1200Vクラスのパワートランジスタでは得られない低オン抵抗と超低スイッチング損失の組み合わせを提供します。この初のSiC MOSFETは堅牢な設計を備え、より広範な高温アプリケーションに対応します。ヒートシンクの小型化と電力密度の増加により、効率が向上し、パッシブフィルタの小型化と電力密度の増加により、より高いスイッチング周波数が実現します。このデバイスは、電圧/電流定格あたりのダイサイズが小さくなっています。
SiC MOSFETの状態：デバイスの進化、技術の利点、および商業的観点
| 特長 | ||
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| 用途 | ||
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Silicon Carbide (SiC) Ultra-Fast Switching MOSFET
| 画像 | メーカー品番 | 商品概要 | ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | 入手可能な数量 | 価格 | 詳細を表示 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | LSIC1MO120E0080 | SICFET N-CH 1200V 39A TO247-3 | 1200 V | 39A（Tc） | 369 - 即時 | $3,012.00 | 詳細を表示 |
| LSIC1MO120E0120 | SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3 | 1200 V | 27A（Tc） | 0 - 即時 | See Page for Pricing | 詳細を表示 | |
| | LSIC1MO120E0160 | SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3 | 1200 V | 22A（Tc） | 2227 - 即時 1800 - 工場在庫品 | $1,987.00 | 詳細を表示 |
刊行： 2018-01-05
日本