EPC91104 3-Phase Motor Drive Inverter
公開日:2025-12-05
The EPC EPC91104 is a 3-phase BLDC motor drive inverter board featuring the EPC23104 ePower Stage IC 11 mΩ maximum RDS(ON), 100 V maximum device voltage.
EPC91118 Three-Phase Inverter for Humanoid Robot Joints
公開日:2025-12-03
The EPC91118 three-phase inverter from EPC features high-bandwidth control of 100 kHz PWM.
EPC91120 Compact Three-Phase Inverter
公開日:2025-12-02
EPC EPC91120 compact three-phase inverters feature an ultra-small two-layer PCB with optimized thermals for in-joint or in-body mounting.
EPCのEPC91107KIT + EPC91110KIT 5kW窒化ガリウムAC~48V/50Vリファレンスソリューションは窒化ガリウムで駆動されます(PFCではEPC2304(200V、5mΩ)、LLCではEPC2305(150V、3mΩ))。
EPC23102 ePower™ステージIC
公開日:2025-09-03
EPCのEPC23102 ePower™ステージICは、高電力密度アプリケーション向けに、より高い性能とより小さなソリューションサイズを提供します。
EPCのEPC91109超小型評価ボードは、USB PD 3.1、ノートPC、バッテリ駆動機器、最大180Wのポータブル電子機器に最適です。
EPC9196 3相モータ駆動インバータ評価ボード
公開日:2025-06-24
EPCのEPC9196 3相モータ駆動インバータ評価ボードは、サードパーティ製コントローラボードと互換性があり、オンボードの電流、電圧、温度センシング機能を備えています。
EPC91116デモンストレーションボード
公開日:2025-05-27
EPCのEPC91116デモンストレーションボードは、オプションの狭パルス発生器を備えており、一般的なパルス発生器やファンクション発生器での操作を簡素化します。
PQFNパッケージの窒化ガリウムFET
公開日:2025-04-10
EPCのPQFNパッケージの窒化ガリウムFETは、モータドライブ、ロボット、高性能コンピューティングなどの要求の厳しいアプリケーションに最適です。
This video discusses the EPC2152 Integrated ePower Stage by EPC, a single-chip driver and half-bridge power stage. It offers fast switching, robust transient handling, and a compact design for high-frequency power applications.
EPC91200モータ駆動インバータボード
公開日:2025-02-11
EPCのEPC91200は、96Vバッテリ向けのEPC2305 eGaN 150V最大デバイス電圧を搭載した3相BLDCモータ駆動インバータボードです。
効果的にLiDARの性能を引き出すためのドライバ、スイッチ、レーザーダイオードの役割の理解
公開日:2025-02-06
電気光学部品はLiDARの中核であり、レーザーパルスを使用して周囲の3次元「点群」表現を作成します。
At electronica 2024, in the DigiKey booth, Caitlin Gittins speaks with Alex Lidow, CEO, EPC about GaN and the future of untethered robots.
EPC91106同期整流式降圧/昇圧コンバータ評価ボード
公開日:2024-12-31
EPCのEPC91106高電力密度、薄型、同期整流式降圧/昇圧コンバータ評価ボードは、完全な電力コンバータソリューションであり、21mm x 13mm以内のスペースに収まります。
EPC2152 80V、12.5A統合ePower™ステージシングルチップドライバ
更新日: 2024-12-23
EPCのEPC2152 80V、12.5A統合ePower™は、3.9mm x 2.6mm x 0.8mmのシングルチップドライバとeGaN®FETハーフブリッジパワーステージです。
EPC2069 40V、2.25mΩ GaN FET
公開日:2024-12-10
EPCのEPC2069パルス電流GaN FETは、高性能でスペースに制約のあるアプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも小型で高効率のデバイスソリューションを設計者に提供します。
uP1966E:GaN FET用80Vハーフブリッジゲートドライバ
公開日:2024-10-08
EPCが販売するuP1966Eは、ハーフブリッジトポロジでハイサイドとローサイドの両方のGaN FETを駆動するように設計されており、両方のチャンネルで数MHzで動作します。
Our experts from Microchip and EPC will provide valuable insights into the technical advantages and practical applications of GaN-based high power density solutions.