PQFNパッケージの窒化ガリウムFET

EPCの窒化ガリウムFETは、高密度パワー変換に理想的な小型フットプリントで卓越した性能を実現

「EPCのPQFNパッケージに収容された窒化ガリウムFET」の画像EPCのPQFNパッケージの窒化ガリウム(GaN)FETは、高密度パワー変換に理想的な小型なフットプリントで卓越した性能を発揮します。これらのデバイスは、超低オン抵抗、低ゲート電荷、最小スイッチング損失を提供し、従来のシリコンMOSFETよりも高効率で高速なスイッチングを可能にします。

最大200Vの定格電圧と、部品によっては400Aを超えるパルス電流能力を持つこれらの窒化ガリウムFETは、モータドライブ、ロボティクス、高性能コンピューティングなどの要求の厳しいアプリケーションに最適です。

特長
  • 優れたコスト効率
  • MOSFETより高性能
    • より高速
    • より小型
    • より高電流
  • 使いやすさ
    • フットプリントの互換性により、設計の柔軟性を最大化
  • 優れた熱機能
    • 露出したトップ
    • 超低熱抵抗
応用
  • AC充電器
  • 高周波数DC/DCコンバータ
  • モータ駆動
  • ソーラーMPPT
  • クラスDオーディオ

GaN FETs in PQFN Packages

画像メーカー品番商品概要FETタイプ技術ドレイン~ソース間電圧(Vdss)入手可能な数量価格詳細を表示
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PIEPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PINチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)100 V0 - 即時$1,107.00詳細を表示
TRANS GAN 100V DIE .0018OHMEPC2302TRANS GAN 100V DIE .0018OHMNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)100 V121780 - 即時$1,288.00詳細を表示
TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNEPC2304TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)200 V0 - 即時$1,357.00詳細を表示
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNEPC2305TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)150 V21048 - 即時$1,323.00詳細を表示
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNEPC2306TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)100 V24696 - 即時$818.00詳細を表示
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNEPC2307TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)200 V6301 - 即時$818.00詳細を表示
TRANS GAN 150V .006OHM 7QFNEPC2308TRANS GAN 150V .006OHM 7QFNNチャンネルGaNFET(窒化ガリウム)150 V8726 - 即時$838.00詳細を表示

Evaluation Boards

画像メーカー品番商品概要入手可能な数量価格詳細を表示
EVAL BOARD FOR EPC2304EPC90140EVAL BOARD FOR EPC230462 - 即時$31,749.00詳細を表示
EVAL BOARD FOR EPC2305EPC90143EVAL BOARD FOR EPC230524 - 即時$31,749.00詳細を表示
EVAL BOARD FOR EPC2306EPC90145EVAL BOARD FOR EPC23063 - 即時$31,749.00詳細を表示
EVAL BOARD FOR EPC2307EPC90150EVAL BOARD FOR EPC230738 - 即時$31,749.00詳細を表示
EVAL BOARD FOR EPC2308EPC90148EVAL BOARD FOR EPC230831 - 即時$31,749.00詳細を表示
EVAL BOARD FOR EPC2302EPC90133EVAL BOARD FOR EPC230246 - 即時$31,749.00詳細を表示
BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC2367EPC90164BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC236711 - 即時$31,749.00詳細を表示
刊行: 2025-04-10