PQFNパッケージの窒化ガリウムFET

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            PQFNパッケージの窒化ガリウムFET
                    EPCの窒化ガリウムFETは、高密度パワー変換に理想的な小型フットプリントで卓越した性能を実現
    

「EPCのPQFNパッケージに収容された窒化ガリウムFET」の画像 EPCのPQFNパッケージの窒化ガリウム（GaN）FETは、高密度パワー変換に理想的な小型なフットプリントで卓越した性能を発揮します。これらのデバイスは、超低オン抵抗、低ゲート電荷、最小スイッチング損失を提供し、従来のシリコンMOSFETよりも高効率で高速なスイッチングを可能にします。

最大200Vの定格電圧と、部品によっては400Aを超えるパルス電流能力を持つこれらの窒化ガリウムFETは、モータドライブ、ロボティクス、高性能コンピューティングなどの要求の厳しいアプリケーションに最適です。

特長

優れたコスト効率
MOSFETより高性能
- より高速
- より小型
- より高電流
使いやすさ
- フットプリントの互換性により、設計の柔軟性を最大化
優れた熱機能
- 露出したトップ
- 超低熱抵抗

応用

AC充電器
高周波数DC/DCコンバータ
モータ駆動
ソーラーMPPT
クラスDオーディオ

GaN FETs in PQFN Packages

メーカー品番	商品概要	FETタイプ	技術	ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	入手可能な数量	価格	詳細を表示
EPC2367	TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	100 V	0 - 即時	$1,096.00	詳細を表示
EPC2302	TRANS GAN 100V DIE .0018OHM	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	100 V	80506 - 即時	$1,276.00	詳細を表示
EPC2304	TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	200 V	0 - 即時	$1,344.00	詳細を表示
EPC2305	TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	150 V	18706 - 即時	$1,311.00	詳細を表示
EPC2306	TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	100 V	25771 - 即時	$810.00	詳細を表示
EPC2307	TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	200 V	5849 - 即時	$810.00	詳細を表示
EPC2308	TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN	Nチャンネル	GaNFET（窒化ガリウム）	150 V	9044 - 即時	$830.00	詳細を表示

Evaluation Boards

メーカー品番	商品概要	入手可能な数量	価格	詳細を表示
EPC90140	EVAL BOARD FOR EPC2304	67 - 即時	$31,440.00	詳細を表示
EPC90143	EVAL BOARD FOR EPC2305	24 - 即時	$31,440.00	詳細を表示
EPC90145	EVAL BOARD FOR EPC2306	5 - 即時	$31,811.00	詳細を表示
EPC90150	EVAL BOARD FOR EPC2307	41 - 即時	$31,440.00	詳細を表示
EPC90148	EVAL BOARD FOR EPC2308	32 - 即時	$31,440.00	詳細を表示
EPC90133	EVAL BOARD FOR EPC2302	9 - 即時	$31,440.00	詳細を表示
EPC90164	BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC2367	17 - 即時	$31,440.00	詳細を表示