ウェビナー - 新規絶縁パッケージにおけるSiC（シリコンカーバイド）とマルチテクノロジーソリューション

SiC（シリコンカーバイド）技術が産業と自動車の両分野で革命を起こし続ける中、より高い電力密度とシステム効率を達成するための競争が激化しています。スイッチング性能、熱管理、製造性考慮設計（DFM）は、新しいSiCデバイスやマルチテクノロジーソリューションにとって、依然として根強い課題となっています。

Littelfuse Inc.の北米パワー半導体/IC事業開発マネージャのRoderick Smith氏による特別ウェビナーにご参加ください。本ウェビナーでは、これらの課題を克服し、システム設計を向上させるために設計された最先端のSiCパッケージ技術革新と保護ソリューションをご紹介します。

主な内容：

• 革新的なSiCパッケージ
  SMPD（面実装パワーデバイス）やTO247パッケージなど、3リードおよび4リード構成の絶縁型ディスクリートおよびマルチチップソリューションについて詳しくご説明します。
• コスト効率に優れたSiC製品
  Littelfuseの標準的な低コストSiCデバイス（650V～1.7kV）を4L247、D2PAK、DPAK、TOLL、QDPAKなど人気のパッケージフォーマットでご覧ください。
• 次世代ゲートドライバ
  性能と信頼性向上を目的に設計された絶縁型のSiCに最適化されたゲートドライバをご紹介します。
• 堅牢なシステム保護
  非対称TVSデバイスがSiCベースのシステムにおける過渡電圧の脅威に対する保護を強化する方法をご覧ください。

ぜひご参加ください！

高効率パワー変換の設計に取り組んでいる方も、熱性能の限界に挑戦している方も、このセッションではSiCの力を最大限に活用するための知見が満載です。

日時：米国中部夏時間2025年10月22日（水）午前10時（日本時間10月23日（木）午前0時）

所要時間：1時間

参加登録はこちらから。イベント終了後、いつでも完全版録画を受け取ることができます。https://event.on24.com/wcc/r/5093519/D127FC8AA26703B439A7B6EB5552D690?partnerref=blog