IXYS Integrated Circuits Division

SiC MOSFETおよびIGBTドライバ（9Aピーク出力） – IX4351NE

IXYS, a Littelfuse technologyのIX4351NEは、UVLOおよびサーマルシャットダウン検出などの保護機能が特長

IXYSのSiC MOSFETおよびIGBTドライバ（9Aピーク出力） – IX4351NEの画像IXYS, a Littelfuse technologyは、特にSiC MOSFETおよび高出力IGBTで動作するドライバを設計しました。個別の9Aソースおよびシンク出力により、スイッチング損失を最小限に抑えながら、調整されたターンオンおよびターンオフのタイミングを実現します。内部の負電圧レギュレータは、選択可能な負のゲート駆動バイアスを提供して、dv/dt耐性を改善し、ターンオフを高速化します。

特長
  • 個別の9Aピークソースおよびシンク出力
  • 動作電圧範囲：-10V～+25V
  • 選択可能な負のゲート駆動バイアス用の内部負チャージポンプレギュレータ
  • ソフトシャットダウンシンクドライバによる非飽和検出
  • TTLおよびCMOS互換入力
  • 不足電圧ロックアウト（UVLO）
  • サーマルシャットダウン
  • オープンドレインFAULT出力

SiC MOSFET and IGBT Driver 9 A Peak Output – IX4351NE

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IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOICIX4351NEIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC1036 - 即時$482.00詳細を表示

Evaluation Board

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EVAL BOARD FOR IX4351IX4351-EVALEVAL BOARD FOR IX4351ゲートドライバ-絶縁型0 - 即時$24,517.00詳細を表示
更新日： 2020-06-03
刊行： 2020-01-17

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