IX4352NE 9AローサイドSiC MOSFETおよびIGBTドライバ

Littelfuse Technology傘下のIXYSの9Aソースおよびシンク出力を備えたIX4352NEゲートドライバは、ターンオンおよびターンオフのタイミング調整が可能

Littelfuse Technology傘下のIXYSのIX4352NE 9AローサイドSiC MOSFETおよびIGBTドライバ」の画像Littelfuse Technology傘下のIXYSのIX4352NEゲートドライバは、SiC MOSFETおよび高電力IGBTを駆動するために特別に設計されています。個別の9Aソースおよびシンク出力により、スイッチング損失を最小限に抑えながら、調整されたターンオンおよびターンオフのタイミングを実現します。内部負電荷レギュレータは、ユーザー選択可能な負ゲート駆動バイアスを提供して、dV/dt耐性を改善し、ターンオフを高速化します。

非飽和検出回路は、SiC MOSFETの過電流状態を感知し、ソフトターンオフを開始して、潜在的に損傷を与えるdV/dtイベントを防止します。非反転ロジック入力INはTTLおよびCMOSと互換性があり、内部レベルシフタは負のゲート駆動バイアス電圧に対応するために必要なバイアスを提供します。その他の保護機能としては、不足電圧ロックアウト(UVLO)検出やサーマルシャットダウンが挙げられます。オープンドレインのFAULT出力は、マイクロコントローラに障害状態を通知します。

特長
  • 個別の9Aピークソースおよびシンク出力
  • 動作電圧範囲:VDD-VSS、最大35V
  • 選択可能な負のゲート駆動バイアス用の内部チャージポンプレギュレータ
  • TTLおよびCMOS互換入力
  • ソフトシャットダウンシンクドライバによる非飽和検出
  • UVLO
  • サーマルシャットダウン
  • オープンドレインFAULT出力
応用
  • オンボード充電器
  • DC/DCコンバータ
  • 電気自動車充電ステーション
  • モータコントローラ
  • パワーインバータ

IX4352NE 9 A Low Side SiC MOSFET and IGBT Driver

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刊行: 2024-05-14