Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3TR-ND
Price: 936.1 JPY
Availability: InStock

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SQM120P10_10M1LGE3
DigiKey製品番号	SQM120P10_10M1LGE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQM120P10_10M1LGE3CT-ND - カットテープ（CT） SQM120P10_10M1LGE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQM120P10_10M1LGE3
商品概要	MOSFET P-CH 100V 120A TO263
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 100 V 120A（Tc） 375W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQM120P10_10M1LGE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 190 nC @ 10 V
メーカー Vishay Siliconix	Vgs（最大） ±20V
シリーズ TrenchFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 9000 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 375W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 120A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 10.1ミリオーム @ 30A、 10V	ベース品番 SQM120
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.5V @ 250µA

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関連リソース

代替品リスト（3）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	¥1,127.00000	類似
IXTA130N10T	IXYS	353	238-IXTA130N10T-ND	¥999.00000	類似
STB100N10F7	STMicroelectronics	128	497-14527-1-ND	¥543.00000	類似