Name: SQM120P10_10M1LGE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120P10_10M1LGE3TR-ND
Price: 844.8 JPY
Availability: InStock

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SQM120P10_10M1LGE3
DigiKey製品番号	SQM120P10_10M1LGE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SQM120P10_10M1LGE3CT-ND - カットテープ（CT） SQM120P10_10M1LGE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SQM120P10_10M1LGE3
商品概要	MOSFET P-CH 100V 120A TO263
メーカーの標準リードタイム	32 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 100 V 120A（Tc） 375W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SQM120P10_10M1LGE3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	120A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	10.1ミリオーム @ 30A、 10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	190 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	9000 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	375W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	TO-263（D2PAK）
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	SQM120