Name: IXFA130N10T2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXFA130N10T2-ND
Price: 1376.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 1mA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 130 nC @ 10 V
シリーズ HiPerFET™, TrenchT2™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 6600 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 360W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263AA（IXFA）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 130A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXFA130
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9.1ミリオーム @ 65A、10V