Name: IXTA130N10T
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA130N10T-ND
Price: 1218.8 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.5V @ 250µA
メーカー IXYS	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 104 nC @ 10 V
シリーズ Trench	Vgs（最大） ±30V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5080 pF @ 25 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 360W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263AA
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 130A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IXTA130
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 9.1ミリオーム @ 25A、10V

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単価（消費税込み）:	¥1,218.80000

IXTA130N10T