Name: SIR870DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR870DP-T1-GE3TR-ND
Price: 630.3 JPY
Availability: InStock

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SIR870DP-T1-GE3
DigiKey製品番号	SIR870DP-T1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIR870DP-T1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIR870DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIR870DP-T1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
メーカーの標準リードタイム	42 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 60A（Tc） 6.25W（Ta）、104W（Tc）面実装 PowerPAK® SO-8
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SIR870DP-T1-GE3 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 84 nC @ 10 V
シリーズ TrenchFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2840 pF @ 50 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 6.25W（Ta）、104W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® SO-8
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 60A（Tc）	パッケージ/ケース PowerPAK® SO-8
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	ベース品番 SIR870
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 6ミリオーム @ 20A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BSC060N10NS3GATMA1	Infineon Technologies	6,483	BSC060N10NS3GATMA1CT-ND	¥460.00000	類似
CSD19531Q5AT	Texas Instruments	1,895	296-37749-1-ND	¥557.00000	類似
FDMS86101DC	onsemi	30,594	FDMS86101DCCT-ND	¥934.00000	類似
STL100N10F7	STMicroelectronics	13,784	497-13649-1-ND	¥538.00000	類似
STL110N10F7	STMicroelectronics	5,594	497-13877-1-ND	¥510.00000	類似