SIHG22N60AE-GE3 は在庫切れとなっており、繰越注文をご利用いただけます。
購入可能な代替品:

類似


onsemi
在庫あり: 0
単価 : ¥0.00000
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 162
単価 : ¥768.00000
データシート

類似


Infineon Technologies
在庫あり: 0
単価 : ¥643.00000
データシート

類似


IXYS
在庫あり: 5,042
単価 : ¥1,527.00000
データシート

類似


IXYS
在庫あり: 0
単価 : ¥769.76667

類似


IXYS
在庫あり: 560
単価 : ¥2,647.00000
データシート

類似


STMicroelectronics
在庫あり: 0
単価 : ¥877.00000
データシート
Nチャンネル 600 V 20A(Tc) 179W(Tc) スルーホール TO-247AC
写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SIHG22N60AE-GE3

DigiKey製品番号
SIHG22N60AE-GE3-ND
メーカー
メーカー製品番号
SIHG22N60AE-GE3
商品概要
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
メーカーの標準リードタイム
24 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 600 V 20A(Tc) 179W(Tc) スルーホール TO-247AC
データシート
 データシート
製品属性
類似製品を絞り込む
空の属性項目を表示する
カテゴリ
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 250µA
メーカー
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
96 nC @ 10 V
シリーズ
Vgs(最大)
±30V
梱包形態
チューブ
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
1451 pF @ 100 V
部品状況
アクティブ
電力散逸(最大)
179W(Tc)
FETタイプ
動作温度
-55°C~150°C(TJ)
技術
取り付けタイプ
スルーホール
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
600 V
サプライヤデバイスパッケージ
TO-247AC
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
パッケージ/ケース
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン)
10V
ベース品番
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
180ミリオーム @ 11A、10V
環境および輸出に関する分類
製品に関する質問と回答
関連リソース
代替品リスト(7)
品番メーカー 在庫数量DigiKey製品番号 単価 代替品のタイプ
FCH22N60Nonsemi0FCH22N60N-ND¥0.00000類似
IPW60R180C7XKSA1Infineon Technologies162448-IPW60R180C7XKSA1-ND¥768.00000類似
IPW60R180P7XKSA1Infineon Technologies0IPW60R180P7XKSA1-ND¥643.00000類似
IXFH22N65X2IXYS5,042238-IXFH22N65X2-ND¥1,527.00000類似
IXFH24N60XIXYS0IXFH24N60X-ND¥769.76667類似
在庫:0個
リードタイムを確認
在庫通知をリクエスト
価格はすべてJPYです
チューブ
数量 単価 請求価格
1¥877.00000¥877
10¥582.50000¥5,825
100¥414.68000¥41,468
500¥343.12600¥171,563
1,000¥320.15500¥320,155
2,000¥300.84750¥601,695
5,000¥299.13400¥1,495,670
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥877.00000
単価(消費税込み):¥964.70000