
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
SI4564DY-T1-GE3 | |
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DigiKey製品番号 | SI4564DY-T1-GE3TR-ND - テープ&リール(TR) SI4564DY-T1-GE3CT-ND - カット テープ(CT) SI4564DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI4564DY-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC |
メーカーの標準リードタイム | 19 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | MOSFET - アレイ 40V 10A、9.2A 3.1W、3.2W 面実装 8-SOIC |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SI4564DY-T1-GE3 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | Vishay Siliconix | |
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) Digi-Reel® | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | MOSFET(金属酸化物) | |
構成 | NおよびPチャンネル | |
FET機能 | 論理レベルゲート | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 40V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 10A、9.2A | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 17.5ミリオーム @ 8A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 2V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 31nC @ 10V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 855pF @ 20V | |
電力 - 最大 | 3.1W、3.2W | |
動作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
パッケージ/ケース | 8-SOIC(幅0.154インチ、3.90mm) | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
ベース品番 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥240.00000 | ¥240 |
10 | ¥181.60000 | ¥1,816 |
100 | ¥131.90000 | ¥13,190 |
500 | ¥104.59000 | ¥52,295 |
1,000 | ¥97.34100 | ¥97,341 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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2,500 | ¥86.29560 | ¥215,739 |
5,000 | ¥80.89800 | ¥404,490 |
7,500 | ¥80.50867 | ¥603,815 |
単価(消費税抜き): | ¥240.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥264.00000 |