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SI3442BDV-T1-GE3 は生産中止品です。現在は生産されていません。
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写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
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タシートを参照ください。
SI3442BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SI3442BDV-T1-GE3-ND - テープ＆リール（TR） |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI3442BDV-T1-GE3 |
商品概要 | MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 20 V 3A（Ta） 860mW（Ta） 面実装 6-TSOP |
データシート | データシート |
製品属性
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ＆リール（TR） | |
部品状況 | 生産中止品 | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） | 20 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） | ||
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 2.5V、4.5V | |
Id、Vgs印加時のRds On（最大） | 57ミリオーム @ 4A、4.5V | |
Id印加時のVgs（th）（最大） | 1.8V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） | 5 nC @ 4.5 V | |
Vgs（最大） | ±12V | |
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） | 295 pF @ 10 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸（最大） | 860mW（Ta） | |
動作温度 | -55°C～150°C（TJ） | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
生産中止品
日本