SI3442BDV-T1-E3 Vishay Siliconix | ディスクリート半導体製品

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タシートを参照ください。

SI3442BDV-T1-E3
DigiKey製品番号	SI3442BDV-T1-E3TR-ND - テープ＆リール（TR） SI3442BDV-T1-E3CT-ND - カットテープ（CT） SI3442BDV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SI3442BDV-T1-E3
商品概要	MOSFET N-CH 20V 3A 6TSOP
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 20 V 3A（Ta） 860mW（Ta）面実装 6-TSOP
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SI3442BDV-T1-E3 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	TrenchFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	20 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	3A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	2.5V、4.5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	57ミリオーム @ 4A、4.5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	1.8V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大）	±12V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	295 pF @ 10 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	860mW（Ta）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	6-TSOP
パッケージ/ケース	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6
ベース品番	SI3442