IRLD024PBF Vishay Siliconix | ディスクリート半導体製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

IRLD024PBF
DigiKey製品番号	IRLD024PBF-ND
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	IRLD024PBF
商品概要	MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 2.5A（Ta） 1.3W（Ta）スルーホール 4-HVMDIP
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRLD024PBF モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Vishay Siliconix
シリーズ	-
梱包形態	チューブ
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	2.5A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4V、5V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	100ミリオーム @ 1.5A、5V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	18 nC @ 5 V
Vgs（最大）	±10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	870 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	1.3W（Ta）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	4-HVMDIP
パッケージ/ケース	4-DIP（0.300インチ、7.62mm）
ベース品番	IRLD024