Name: TK39N60W5,S1VF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK39N60W5S1VF-ND
Price: 1346.4 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

TK39N60W5,S1VF
DigiKey製品番号	TK39N60W5S1VF-ND
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
メーカー製品番号	TK39N60W5,S1VF
商品概要	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
メーカーの標準リードタイム	16 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 38.8A（Ta） 270W（Tc）スルーホール TO-247
データシート	データシート
EDA/CADモデル	TK39N60W5,S1VF モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Toshiba Semiconductor and Storage
シリーズ	DTMOSIV
梱包形態	チューブ
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	600 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	38.8A（Ta）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	74ミリオーム @ 19.4A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4.5V @ 1.9mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	135 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	4100 pF @ 300 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	270W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247
パッケージ/ケース	TO-247-3
ベース品番	TK39N60