
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。


S3M0016120B | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | 1655-S3M0016120B-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | S3M0016120B |
商品概要 | MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V |
メーカーの標準リードタイム | 12 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 1200 V 106A(Tc) 576W(Tc) 面実装 TO-263-7 |
データシート | データシート |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 18V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 23ミリオーム @ 75A、18V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4V @ 30mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 287 nC @ 18 V | |
Vgs(最大) | +22V、-8V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 5251 pF @ 1000 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 576W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
パッケージ/ケース |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2,755.00000 | ¥2,755 |
| 35 | ¥1,677.85714 | ¥58,725 |
| 105 | ¥1,497.05714 | ¥157,191 |
| 525 | ¥1,489.95810 | ¥782,228 |
| 単価(消費税抜き): | ¥2,755.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥3,030.50000 |
