GCMX005A120B3B1P
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GCMX005A120B3B1P

DigiKey製品番号
1560-GCMX005A120B3B1P-ND
メーカー
メーカー製品番号
GCMX005A120B3B1P
商品概要
MOSFET 4N-CH 1200V 383A
メーカーの標準リードタイム
22 週間
客先参照品番
詳細な説明
MOSFET - アレイ 1200V(1.2kV) 383A(Tc) 1.154kW(Tc) シャーシマウント
データシート
 データシート
製品属性
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
SemiQ
シリーズ
-
梱包形態
トレイ
部品状況
アクティブ
技術
シリコンカーバイド(SiC)
構成
4Nチャンネル(ハーフブリッジ)
FET機能
-
ドレイン~ソース間電圧(Vdss)
1200V(1.2kV)
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id)
383A(Tc)
Id、Vgs印加時のRds On(最大)
7ミリオーム @ 200A、20V
Id印加時のVgs(th)(最大)
4V @ 80mA
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大)
927nC @ 20V
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大)
23500pF @ 800V
電力 - 最大
1.154kW(Tc)
動作温度
-40°C~175°C(TJ)
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
パッケージ/ケース
モジュール
サプライヤデバイスパッケージ
-
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在庫:2個
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トレイ
数量 単価 請求価格
1¥21,126.00000¥21,126
10¥18,426.40000¥184,264
メーカーの標準パッケージ
注:製品の購入数量が標準パッケージを下回る場合、パッケージのタイプが変更されることがありますので、予めご了承ください。
単価(消費税抜き):¥21,126.00000
単価(消費税込み):¥23,238.60000