Name: RQ3P045ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P045ATTB1TR-ND
Price: 416.9 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

RQ3P045ATTB1
DigiKey製品番号	846-RQ3P045ATTB1TR-ND - テープ＆リール（TR） 846-RQ3P045ATTB1CT-ND - カットテープ（CT） 846-RQ3P045ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Rohm Semiconductor
メーカー製品番号	RQ3P045ATTB1
商品概要	PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
メーカーの標準リードタイム	21 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 100 V 4.5A（Ta）、14.5A（Tc） 2W（Ta）、20W（Tc）面実装 8-HSMT（3.2x3）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Rohm Semiconductor
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	4.5A（Ta）、14.5A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	4.5V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	86ミリオーム @ 4.5A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	2.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	49 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1990 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2W（Ta）、20W（Tc）
動作温度	150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	8-HSMT（3.2x3）
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
ベース品番	RQ3P045