
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。


SI4435DY | |
|---|---|
DigiKey製品番号 | SI4435DYFSTR-ND - テープ&リール(TR) SI4435DYFSCT-ND - カット テープ(CT) |
メーカー | |
メーカー製品番号 | SI4435DY |
商品概要 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Pチャンネル 30 V 8.8A(Ta) 2.5W(Ta) 面実装 8-SOIC |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | SI4435DY モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
|---|---|---|
カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | テープ&リール(TR) カット テープ(CT) | |
部品状況 | 生産中止品 | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 30 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V、10V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 20ミリオーム @ 8.8A、10V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 3V @ 250µA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 24 nC @ 5 V | |
Vgs(最大) | ±20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1604 pF @ 15 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 2.5W(Ta) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | 面実装 | |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
パッケージ/ケース | ||
ベース品番 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 1 | ¥252.00000 | ¥252 |
| 10 | ¥159.40000 | ¥1,594 |
| 100 | ¥106.15000 | ¥10,615 |
| 500 | ¥83.33200 | ¥41,666 |
| 1,000 | ¥75.98600 | ¥75,986 |
| 数量 | 単価 | 請求価格 |
|---|---|---|
| 2,500 | ¥68.03640 | ¥170,091 |
| 5,000 | ¥63.12380 | ¥315,619 |
| 7,500 | ¥60.62107 | ¥454,658 |
| 12,500 | ¥59.85880 | ¥748,235 |
| 単価(消費税抜き): | ¥252.00000 |
|---|---|
| 単価(消費税込み): | ¥277.20000 |









