型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | onsemi | |
シリーズ | - | |
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
技術 | シリコンカーバイド(SiC) | |
構成 | 4個のNチャンネル(フルブリッジ) | |
FET機能 | - | |
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | 31A(Tc) | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 116ミリオーム @ 20A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 4.3V @ 5mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 56nC @ 20V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 1154pF @ 800V | |
電力 - 最大 | 208W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | 自動車 | |
認定 | AEC-Q101 | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
パッケージ/ケース | 32-PowerDIPモジュール(1.449インチ、36.80mm) | |
サプライヤデバイスパッケージ | APM32 |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥8,140.00000 | ¥8,140 |
10 | ¥6,163.30000 | ¥61,633 |
100 | ¥5,836.71000 | ¥583,671 |
単価(消費税抜き): | ¥8,140.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥8,954.00000 |