Name: NTMFS4D2N10MDT1G
Brand: onsemi
SKU: 488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND
Price: 568.7 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

NTMFS4D2N10MDT1G
DigiKey製品番号	488-NTMFS4D2N10MDT1GTR-ND - テープ＆リール（TR） 488-NTMFS4D2N10MDT1GCT-ND - カットテープ（CT） 488-NTMFS4D2N10MDT1GDKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	onsemi
メーカー製品番号	NTMFS4D2N10MDT1G
商品概要	N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 16.4A（Ta）、113A（Tc） 2.8W（Ta）、132W（Tc）面実装 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
データシート	データシート

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	onsemi
シリーズ	-
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	16.4A（Ta）、113A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	4.3ミリオーム @ 46A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 239µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	60 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	3100 pF @ 50 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	2.8W（Ta）、132W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
パッケージ/ケース	8-PowerTDFN、5リード
ベース品番	NTMFS4