Name: DMWSH120H18HM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H18HM4Q-ND
Price: 7030.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 158 nC @ 18 V
メーカー Diodes Incorporated	Vgs（最大） +22V、-10V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4206 pF @ 800 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 313W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	グレード自動車
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	認定 AEC-Q101
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 108A（Tc）	取り付けタイプスルーホール
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 18ミリオーム @ 75A、18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id印加時のVgs（th）（最大） 4.4V @ 37mA

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単価（消費税抜き）:	¥6,391.00000
単価（消費税込み）:	¥7,030.10000

DMWSH120H18HM4Q