Name: DMWSH120H18HM4
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H18HM4-ND
Price: 5700.2 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.4V @ 37mA
メーカー Diodes Incorporated	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 158 nC @ 18 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） +22V、-10V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 4206 pF @ 800 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 313W（Tc）
技術 SiCFET（炭化ケイ素）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 1200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 108A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-247-4
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 18V	パッケージ/ケース TO-247-4
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 18ミリオーム @ 75A、18V

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代替品リスト（1）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
DMWSH120H18HM4Q	Diodes Incorporated	30	31-DMWSH120H18HM4Q-ND	¥6,391.00000	パラメータ等価

在庫：20個

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単価（消費税抜き）:	¥5,182.00000
単価（消費税込み）:	¥5,700.20000

DMWSH120H18HM4