TO-263-8
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TO-263-8
TO-263-7

G2R1000MT17J

DigiKey製品番号
1913-G2R1000MT17J-ND
メーカー
Navitas Semiconductor, Inc.
メーカー製品番号
G2R1000MT17J
商品概要
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1700 V 3A（Tc） 54W（Tc） 面実装 TO-263-7
データシート
 データシート
製品属性
型
商品概要
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カテゴリ
メーカー
Navitas Semiconductor, Inc.
シリーズ
G2R™
梱包形態
チューブ
部品状況
生産中止品
FETタイプ
Nチャンネル
技術
SiCFET（炭化ケイ素）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1700 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
3A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
20V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
1.2オーム @ 2A、20V
Id印加時のVgs（th）（最大）
4V @ 2mA
Vgs（最大）
+20V、-10V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
139 pF @ 1000 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
54W（Tc）
動作温度
-55°C～175°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
面実装
サプライヤデバイスパッケージ
TO-263-7
パッケージ/ケース
TO-263-8、D2PAK（7リード + タブ）、TO-263CA
ベース品番
G2R1000
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生産中止品
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4 品目
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1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS

Navitas Semiconductor, Inc.

¥1,544.00000