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APT22F100J
Microchip Technology
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238~SOT227B~~4
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IXFN26N100P

DigiKey製品番号
IXFN26N100P-ND
メーカー
IXYS
メーカー製品番号
IXFN26N100P
商品概要
MOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227B
メーカーの標準リードタイム
27 週間
客先参照品番
詳細な説明
Nチャンネル 1000 V 23A（Tc） 595W（Tc） シャーシマウント SOT-227B
製品属性
型
商品概要
すべて選択
カテゴリ
メーカー
IXYS
シリーズ
HiPerFET™, Polar
梱包形態
チューブ
部品状況
アクティブ
FETタイプ
Nチャンネル
技術
MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）
1000 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）
23A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）
10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）
390ミリオーム @ 13A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）
6.5V @ 1mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）
197 nC @ 10 V
Vgs（最大）
±30V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）
11900 pF @ 25 V
FET機能
-
電力散逸（最大）
595W（Tc）
動作温度
-55°C～150°C（TJ）
グレード
-
認定
-
取り付けタイプ
シャーシマウント
サプライヤデバイスパッケージ
SOT-227B
パッケージ/ケース
SOT-227-4、miniBLOC
ベース品番
IXFN26
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単価（消費税抜き）:¥6,636.29667
単価（消費税込み）:¥7,299.92634