Name: SPP80P06PHXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPP80P06PHXKSA1-ND
Price: 840.4 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 173 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±20V
シリーズ SIPMOS®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 5033 pF @ 25 V
梱包形態チューブ	電力散逸（最大） 340W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Pチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 80A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-1
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 23ミリオーム @ 64A、10V	ベース品番 SPP80P06
Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 5.5mA

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