Name: SPB80P06PGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB80P06PGATMA1TR-ND
Price: 771.1 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SPB80P06PGATMA1
DigiKey製品番号	SPB80P06PGATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） SPB80P06PGATMA1CT-ND - カットテープ（CT） SPB80P06PGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	SPB80P06PGATMA1
商品概要	MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3
メーカーの標準リードタイム	10 週間
客先参照品番
詳細な説明	Pチャンネル 60 V 80A（Tc） 340W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SPB80P06PGATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	SIPMOS®
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Pチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	60 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	80A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	23ミリオーム @ 64A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 5.5mA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	173 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	5033 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	340W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO263-3-2
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
ベース品番	SPB80P06