Name: SPB20N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB20N60C3ATMA1TR-ND
Price: 822.8 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

SPB20N60C3ATMA1
DigiKey製品番号	SPB20N60C3ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） SPB20N60C3ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） SPB20N60C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	SPB20N60C3ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 600V 20.7A TO263-3
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 20.7A（Tc） 208W（Tc）面実装 PG-TO263-3-2
データシート	データシート
EDA/CADモデル	SPB20N60C3ATMA1 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 1mA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 114 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™ C3	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2400 pF @ 25 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 208W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 20.7A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPB20N60
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 190ミリオーム @ 13.1A、10V

製品情報のエラーを報告

ドキュメントとメディア

環境および輸出に関する分類

関連リソース

代替品リスト（9）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
AOB25S65L	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	800	785-1539-1-ND	¥939.00000	直接
SIHB22N60ET1-GE3	Vishay Siliconix	410	SIHB22N60ET1-GE3CT-ND	¥804.00000	類似
STB20N65M5	STMicroelectronics	819	497-13639-1-ND	¥758.00000	類似
STB21N65M5	STMicroelectronics	3,954	497-10562-1-ND	¥979.00000	類似
STB24N60M2	STMicroelectronics	487	497-13575-1-ND	¥628.00000	類似