Name: SIHB22N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N60ET1-GE3TR-ND
Price: 884.4 JPY
Availability: InStock

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SIHB22N60ET1-GE3
DigiKey製品番号	SIHB22N60ET1-GE3TR-ND - テープ＆リール（TR） SIHB22N60ET1-GE3CT-ND - カットテープ（CT） SIHB22N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Vishay Siliconix
メーカー製品番号	SIHB22N60ET1-GE3
商品概要	MOSFET N-CH 600V 21A TO263
メーカーの標準リードタイム	24 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 600 V 21A（Tc） 227W（Tc）面実装 TO-263（D2PAK）
データシート	データシート

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 250µA
メーカー Vishay Siliconix	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 86 nC @ 10 V
シリーズ E	Vgs（最大） ±30V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1920 pF @ 100 V
部品状況アクティブ	電力散逸（最大） 227W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ TO-263（D2PAK）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 21A（Tc）	パッケージ/ケース TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SIHB22
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 180ミリオーム @ 11A、10V

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関連リソース

代替品リスト（4）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
FCB199N65S3	onsemi	578	488-FCB199N65S3CT-ND	¥7,889.00000	類似
IXFA22N65X2	IXYS	4,207	238-IXFA22N65X2-ND	¥11,955.00000	類似
R6020ENJTL	Rohm Semiconductor	2,478	R6020ENJTLCT-ND	¥6,176.00000	類似
STB24N60DM2	STMicroelectronics	515	497-15423-1-ND	¥6,115.00000	類似