Name: SPA11N80C3XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPA11N80C3XKSA2-ND
Price: 743.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 680µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 85 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1600 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 34W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3絶縁タブ
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPA11N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 450ミリオーム @ 7.1A、10V

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代替品リスト（2）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IXTP8N70X2M	IXYS	12	IXTP8N70X2M-ND	¥308.47000	類似
TK12E80W,S1X	Toshiba Semiconductor and Storage	0	TK12E80WS1X-ND	¥342.41000	類似

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1 品目

SPA11N80C3XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP

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