Name: SPA11N80C3XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-SPA11N80C3XKSA1-ND
Price: 743.6 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 680µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 85 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1600 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 34W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 800 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO220-3-31
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Tc）	パッケージ/ケース TO-220-3フルパッッケージ
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 SPA11N80
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 450ミリオーム @ 7.1A、10V

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関連リソース

代替品リスト（5）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
STF11N60DM2	STMicroelectronics	1,322	497-16960-ND	¥391.00000	類似
STF11N65M5	STMicroelectronics	0	497-13160-ND	¥467.00000	類似
STF11NM80	STMicroelectronics	857	497-4338-5-ND	¥1,240.00000	類似
STF13N80K5	STMicroelectronics	841	497-13753-5-ND	¥781.00000	類似
TK10A60W5,S5VX	Toshiba Semiconductor and Storage	19	TK10A60W5S5VX-ND	¥494.00000	類似

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単価（消費税抜き）:	¥676.00000
単価（消費税込み）:	¥743.60000

こちらもご覧ください

1 品目

SPA11N80C3XKSA2

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3

Infineon Technologies

SPA11N80C3XKSA1