Name: ISC015N06NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 873.4 JPY
Availability: InStock

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

ISC015N06NM5LF2ATMA1
DigiKey製品番号	448-ISC015N06NM5LF2ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-ISC015N06NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	ISC015N06NM5LF2ATMA1
商品概要	TRENCH 40<-<100V
メーカーの標準リードタイム	61 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 60 V 32A（Ta）、275A（Tc） 3W（Ta）、217W（Tc）面実装 PG-TDSON-8 FL
データシート	データシート
EDA/CADモデル	ISC015N06NM5LF2ATMA1 モデル

製品属性

類似製品を絞り込む

空の属性項目を表示する

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.55ミリオーム @ 50A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.45V @ 120µA
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 113 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 9000 pF @ 30 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3W（Ta）、217W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 60 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 32A（Ta）、275A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TDSON-8 FL
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース 8-PowerTDFN