IRFH5110TRPBF
DigiKey製品番号	448-IRFH5110TRPBFTR-ND - テープ＆リール（TR）
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IRFH5110TRPBF
商品概要	MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 11A（Ta）、63A（Tc） 3.6W（Ta）、114W（Tc）面実装 8-PQFN（5x6）
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IRFH5110TRPBF モデル

カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4V @ 100µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 72 nC @ 10 V
シリーズ HEXFET®	Vgs（最大） ±20V
梱包形態テープ＆リール（TR）	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3152 pF @ 25 V
部品状況生産中止品	電力散逸（最大） 3.6W（Ta）、114W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプ面実装
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	サプライヤデバイスパッケージ 8-PQFN（5x6）
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 11A（Ta）、63A（Tc）	パッケージ/ケース 8-PowerVDFN
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IRFH5110
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 12.4ミリオーム @ 37A、10V

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
BSC109N10NS3GATMA1	Infineon Technologies	1,367	BSC109N10NS3GATMA1CT-ND	¥372.00000	類似
BSC118N10NSGATMA1	Infineon Technologies	11,350	BSC118N10NSGATMA1CT-ND	¥352.00000	類似
DMT8012LFG-13	Diodes Incorporated	0	DMT8012LFG-13-ND	¥70.86600	類似
STL60N10F7	STMicroelectronics	8,845	497-13879-1-ND	¥332.00000	類似
STL90N10F7	STMicroelectronics	2,196	497-13969-1-ND	¥387.00000	類似

IRFH5110TRPBF