Name: IRFB4020PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4020PBF-ND
Price: 375.1 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 4.9V @ 100µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 29 nC @ 10 V
梱包形態チューブ	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 1200 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 100W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 200 V	取り付けタイプスルーホール
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 18A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	パッケージ/ケース TO-220-3
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 100ミリオーム @ 11A、10V	ベース品番 IRFB4020

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