IRF1310NSTRRPBF Infineon Technologies | ディスクリート半導体製品

写真は、部品の参考イメージと
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	HEXFET®
梱包形態	テープ＆リール（TR）
部品状況	Digi-Keyでは取扱い終了
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	42A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	36ミリオーム @ 22A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 250µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	110 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1900 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.8W（Ta）、160W（Tc）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	D2PAK
パッケージ/ケース	TO-263-3、D2PAK（2リード + タブ）、TO-263AB