Name: IPW60R165CPFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R165CPFKSA1-ND
Price: 1239.7 JPY
Availability: InStock

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.5V @ 790µA
メーカー Infineon Technologies	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 52 nC @ 10 V
シリーズ CoolMOS™	Vgs（最大） ±20V
梱包形態チューブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 2000 pF @ 100 V
部品状況新規設計向けに不適合	電力散逸（最大） 192W（Tc）
FETタイプ Nチャンネル	動作温度 -55°C～150°C（TJ）
技術 MOSFET（金属酸化物）	取り付けタイプスルーホール
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 600 V	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO247-3-1
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 21A（Tc）	パッケージ/ケース TO-247-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V	ベース品番 IPW60R165
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 165ミリオーム @ 12A、10V

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関連リソース

代替品リスト（14）

品番	メーカー	在庫数量	DigiKey製品番号	単価	代替品のタイプ
IXFH22N60P3	IXYS	705	IXFH22N60P3-ND	¥1,501.00000	直接
FCH190N65F-F155	onsemi	381	FCH190N65F-F155-ND	¥1,241.00000	類似
IXFH22N65X2	IXYS	5,042	238-IXFH22N65X2-ND	¥1,527.00000	類似
IXFR48N60Q3	IXYS	0	IXFR48N60Q3-ND	¥4,732.63333	類似
IXFX44N80Q3	IXYS	0	IXFX44N80Q3-ND	¥6,415.34667	類似