Name: IPT026N12NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND
Price: 797.5 JPY
Availability: InStock

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IPT026N12NM6ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPT026N12NM6ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPT026N12NM6ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPT026N12NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPT026N12NM6ATMA1
商品概要	IPT026N12NM6ATMA1
メーカーの標準リードタイム	23 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 120 V 23A（Ta）、224A（Tc） 3W（Ta）、283W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPT026N12NM6ATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™ 6
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	120 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	23A（Ta）、224A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	8V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	2.6ミリオーム @ 115A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.6V @ 169µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	88 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	6500 pF @ 60 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3W（Ta）、283W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-HSOF-8-1
パッケージ/ケース	8-PowerSFN