Name: IPT023N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 1124.2 JPY
Availability: InStock

Nチャンネル 100 V 27A（Ta）、243A（Tc） 3.8W（Ta）、300W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-1

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IPT023N10NM5LF2ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPT023N10NM5LF2ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPT023N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPT023N10NM5LF2ATMA1
商品概要	IPT023N10NM5LF2ATMA1
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 27A（Ta）、243A（Tc） 3.8W（Ta）、300W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-1
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPT023N10NM5LF2ATMA1 モデル

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 2.1ミリオーム @ 100A、15V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.9V @ 193µA
シリーズ OptiMOS™ 5	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 144 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 12000 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3.8W（Ta）、300W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 27A（Ta）、243A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-1
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V、15V	パッケージ/ケース 8-PowerSFN