Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 1030.7 JPY
Availability: InStock

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IPT015N10NF2SATMA1
DigiKey製品番号	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPT015N10NF2SATMA1
商品概要	MOSFET
メーカーの標準リードタイム	17 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 35A（Ta）、315A（Tc） 3.8W（Ta）、300W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-10
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPT015N10NF2SATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Id、Vgs印加時のRds On（最大） 1.5ミリオーム @ 150A、10V
メーカー Infineon Technologies	Id印加時のVgs（th）（最大） 3.8V @ 267µA
シリーズ StrongIRFET™ 2	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 242 nC @ 10 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	Vgs（最大） ±20V
部品状況アクティブ	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 11000 pF @ 50 V
FETタイプ Nチャンネル	電力散逸（最大） 3.8W（Ta）、300W（Tc）
技術 MOSFET（金属酸化物）	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 35A（Ta）、315A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-HSOF-8-10
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V、10V	パッケージ/ケース 8-PowerSFN