Name: IPT012N08NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT012N08NF2SATMA1TR-ND
Price: 953.7 JPY
Availability: InStock

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IPT012N08NF2SATMA1
DigiKey製品番号	448-IPT012N08NF2SATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPT012N08NF2SATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPT012N08NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPT012N08NF2SATMA1
商品概要	MOSFET
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 80 V 39A（Ta）、351A（Tc） 3.8W（Ta）、300W（Tc）面実装 PG-HSOF-8-10
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPT012N08NF2SATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	StrongIRFET™ 2
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	80 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	39A（Ta）、351A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	6V、10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	1.23ミリオーム @ 150A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.8V @ 267µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	255 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	12000 pF @ 40 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	3.8W（Ta）、300W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-HSOF-8-10
パッケージ/ケース	8-PowerSFN