IPP50R199CPXKSA1 Infineon Technologies | ディスクリート半導体製品

IPP50R199CPXKSA1
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cms-manufacturer	Infineon Technologies
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cms-description	MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Nチャンネル 550 V 17A（Tc） 139W（Tc）スルーホール PG-TO220-3-1
データシート	データシート
cms-eda-cad-models	IPP50R199CPXKSA1 モデル

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolMOS™
梱包形態	チューブ
部品状況	生産中止品
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	550 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	17A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	199ミリオーム @ 9.9A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 660µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	45 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1800 pF @ 100 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	139W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	スルーホール
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO220-3-1
パッケージ/ケース	TO-220-3
ベース品番	IPP50R199