Name: IPD65R190C7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R190C7ATMA1TR-ND
Price: 596.2 JPY
Availability: InStock

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IPD65R190C7ATMA1
DigiKey製品番号	IPD65R190C7ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD65R190C7ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPD65R190C7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD65R190C7ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
メーカーの標準リードタイム	27 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 650 V 13A（Tc） 72W（Tc）面実装 PG-TO252-3
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD65R190C7ATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	CoolMOS™ C7
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	650 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	13A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	190ミリオーム @ 5.7A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	4V @ 290µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	23 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	1150 pF @ 400 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	72W（Tc）
動作温度	-55°C～150°C（TJ）
グレード	-
認定	-
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	IPD65R