
なります。正確な仕様は、デー
タシートを参照ください。
IMZA65R007M2HXKSA1 | |
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DigiKey製品番号 | 448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND |
メーカー | |
メーカー製品番号 | IMZA65R007M2HXKSA1 |
商品概要 | SILICON CARBIDE MOSFET |
メーカーの標準リードタイム | 23 週間 |
客先参照品番 | |
詳細な説明 | Nチャンネル 650 V 210A(Tc) 625W(Tc) スルーホール PG-TO247-4-U02 |
データシート | データシート |
EDA/CADモデル | IMZA65R007M2HXKSA1 モデル |
型 | 商品概要 | すべて選択 |
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カテゴリ | ||
メーカー | ||
シリーズ | ||
梱包形態 | チューブ | |
部品状況 | アクティブ | |
FETタイプ | ||
技術 | ||
ドレイン~ソース間電圧(Vdss) | 650 V | |
電流 - 25°Cでの連続ドレイン(Id) | ||
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 15V、20V | |
Id、Vgs印加時のRds On(最大) | 6.1ミリオーム @ 146.3A、20V | |
Id印加時のVgs(th)(最大) | 5.6V @ 29.7mA | |
Vgs印加時のゲート電荷(Qg)(最大) | 179 nC @ 18 V | |
Vgs(最大) | +23V、-7V | |
Vds印加時の入力静電容量(Ciss)(最大) | 6359 pF @ 400 V | |
FET機能 | - | |
電力散逸(最大) | 625W(Tc) | |
動作温度 | -55°C~175°C(TJ) | |
グレード | - | |
認定 | - | |
取り付けタイプ | スルーホール | |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO247-4-U02 | |
パッケージ/ケース |
数量 | 単価 | 請求価格 |
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1 | ¥4,482.00000 | ¥4,482 |
30 | ¥2,910.16667 | ¥87,305 |
120 | ¥2,885.04167 | ¥346,205 |
単価(消費税抜き): | ¥4,482.00000 |
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単価(消費税込み): | ¥4,930.20000 |