Name: IPD60N10S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND
Price: 213.4 JPY
Availability: InStock

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IPD60N10S412ATMA1
DigiKey製品番号	448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD60N10S412ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
メーカーの標準リードタイム	9 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 60A（Tc） 94W（Tc）面実装 PG-TO252-3-313
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD60N10S412ATMA1 モデル

製品属性

型	商品概要	すべて選択
カテゴリ	ディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET
メーカー	Infineon Technologies
シリーズ	OptiMOS™
梱包形態	テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®
部品状況	アクティブ
FETタイプ	Nチャンネル
技術	MOSFET（金属酸化物）
ドレイン～ソース間電圧（Vdss）	100 V
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id）	60A（Tc）
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）	10V
Id、Vgs印加時のRds On（最大）	12.2ミリオーム @ 60A、10V
Id印加時のVgs（th）（最大）	3.5V @ 46µA
Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大）	±20V
Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大）	2470 pF @ 25 V
FET機能	-
電力散逸（最大）	94W（Tc）
動作温度	-55°C～175°C（TJ）
グレード	自動車
認定	AEC-Q101
取り付けタイプ	面実装
サプライヤデバイスパッケージ	PG-TO252-3-313
パッケージ/ケース	TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
ベース品番	IPD60N10