Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 469.7 JPY
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
DigiKey製品番号	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - テープ＆リール（TR） IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - カットテープ（CT） IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
メーカー	Infineon Technologies
メーカー製品番号	IPD60N10S4L12ATMA1
商品概要	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
メーカーの標準リードタイム	18 週間
客先参照品番
詳細な説明	Nチャンネル 100 V 60A（Tc） 94W（Tc）面実装 PG-TO252-3-313
データシート	データシート
EDA/CADモデル	IPD60N10S4L12ATMA1 モデル

製品属性

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カテゴリディスクリート半導体製品トランジスタ FET、MOSFET シングルFET、MOSFET	Vgs印加時のゲート電荷（Qg）（最大） 49 nC @ 10 V
メーカー Infineon Technologies	Vgs（最大） ±16V
シリーズ HEXFET®	Vds印加時の入力静電容量（Ciss）（最大） 3170 pF @ 25 V
梱包形態テープ＆リール（TR）カットテープ（CT） Digi-Reel®	電力散逸（最大） 94W（Tc）
部品状況アクティブ	動作温度 -55°C～175°C（TJ）
FETタイプ Nチャンネル	グレード自動車
技術 MOSFET（金属酸化物）	認定 AEC-Q101
ドレイン～ソース間電圧（Vdss） 100 V	取り付けタイプ面実装
電流 - 25°Cでの連続ドレイン（Id） 60A（Tc）	サプライヤデバイスパッケージ PG-TO252-3-313
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V、10V	パッケージ/ケース TO-252-3、DPAK（2リード + タブ）、SC-63
Id、Vgs印加時のRds On（最大） 12ミリオーム @ 60A、10V	ベース品番 IPD60N10
Id印加時のVgs（th）（最大） 2.1V @ 46µA